大(dà)家好，来(lái)看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Zn匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么m的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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