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行而不辍履践致远是什么意思,行而不辍 什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重行而不辍履践致远是什么意思,行而不辍 什么意思大(dà)安(ān)全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规,我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基行而不辍履践致远是什么意思,行而不辍 什么意思础设施安全,是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán),防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng),至少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩固公司(sī)在下游市场的供应优势(shì),公(gōng)司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制,或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士,国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。行而不辍履践致远是什么意思,行而不辍 什么意思储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入美(měi)国限制名单,设备(bèi)国产化进程加速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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