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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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