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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全戊时是几点，戊时是几点到几点钟的时(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。戊时是几点，戊时是几点到几点钟的时g>存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。