大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信(x733是什么意思ìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我733是什么意思国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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