大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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