大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 across 和 cross的区别，cross和across区别和用法DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维across 和 cross的区别，cross和across区别和用法的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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