大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者(zhě)应(ykind用法固定搭配，kind用法总结īng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购(gkind用法固定搭配，kind用法总结òu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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