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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)广西大学唐纪良主任科员，广西大学唐记良论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng广西大学唐纪良主任科员，广西大学唐记良)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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