大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(j韩国为何全民疯狂炒股，韩国为什么这么多人炒股iàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限韩国为何全民疯狂炒股，韩国为什么这么多人炒股制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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