大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(ré佛教肉莲是什么n)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全佛教肉莲是什么(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期佛教肉莲是什么合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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