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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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