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压线扣几分罚款多少的,压线扣多少分? 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看(kàn)一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

  此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全,是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放,只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  3月3压线扣几分罚款多少的,压线扣多少分?1日(rì),中国(guó)网(wǎng)信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险,维(wéi)护国家安全,依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》,网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11%。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wè压线扣几分罚款多少的,压线扣多少分?i)公司(sī)供(gōng)应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng),采(cǎi)购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo),催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān),设备国(guó)产化(huà)进程加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份(fèn)额提升(shēng),以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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