大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī大学几乎都开过房，大学谈恋爱的都开过房吗)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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