大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。太原私立小学有哪些，太原私立小学有哪些排名g>为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(太原私立小学有哪些，太原私立小学有哪些排名pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。