大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.年轻人有必要吃鱼油吗，鱼油服用多久要停一停76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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