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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应cow的复数怎么写的，cow的复数英语怎么读商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺cow的复数怎么写的，cow的复数英语怎么读。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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