大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位希思黎什么档次的品牌，希思黎和雅诗兰黛哪个档次高列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(sh希思黎什么档次的品牌，希思黎和雅诗兰黛哪个档次高í)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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