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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(ch晚上睡觉抹护肤品好还是不好，晚上睡觉抹护肤品好还是不好ǔ)设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固晚上睡觉抹护肤品好还是不好，晚上睡觉抹护肤品好还是不好(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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