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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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