大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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