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合肥初中排名前十名有哪些学校,合肥初中排名前十名分数线 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

  据网信(xìn)办消(xiāo)息,日(rì)前,网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

  审查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全,防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》,网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu),也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一,202合肥初中排名前十名有哪些学校,合肥初中排名前十名分数线2年收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

合肥初中排名前十名有哪些学校,合肥初中排名前十名分数线>  A股(gǔ)上市公司中(zhōng),江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng),至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

  公告显(xiǎn)示(shì), 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē),确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制(zhì),或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升,以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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