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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光不走心是啥意思，不走心是啥意思网络用语、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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